ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT!

~非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统的效率提升和小型化~

全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产,这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。

据悉,电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半,为实现无碳社会,如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键,SiC (Silicon Carbide:碳化硅)和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年,ROHM将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产;2023年3月,又确立了能够更大程度地发挥出GaN性能的控制IC技术。此次,为了助力各种电源系统的效率提升和小型化,ROHM又推出器件性能达到业界超高水平的650V耐压GaN HEMT。

新产品是ROHM与Delta Electronics, Inc. (以下简称“台达电子”)的子公司——专注于GaN元器件开发的Ancora Semiconductors Inc.(以下简称“碇基半导体”)联合开发而成的,在650V GaN HEMT的器件性能指数(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss*2)方面,达到了业界超高水平。因此,新产品可以大大降低开关损耗,从而能够进一步提高电源系统的效率。另外,新产品还内置ESD*3保护器件,将抗静电能力提高至3.5kV,这将有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此,新产品还具有GaN HEMT器件的优势——高速开关工作,从而有助于外围元器件的小型化。

新产品已于2023年4月起投入量产(样品价格 5,000日元/个,不含税),并已开始网售,通过Ameya360、Sekorm等电商平台均可购买。

ROHM将有助于应用产品的节能和小型化的GaN器件命名为“EcoGaN™系列”,并不断致力于进一步提高器件的性能。另外,除了元器件的开发,ROHM还积极与业内相关企业建立战略合作伙伴关系并推动联合开发,通过助力应用产品的效率提升和小型化,持续为解决社会问题贡献力量。

ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT!

<什么是EcoGaN™>

ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT!

EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能,助力应用产品进一步节能和小型化的ROHM GaN器件,该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。

・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

<产品阵容>

ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT!

<应用示例>

包括服务器和AC适配器在内的各种工业设备和消费电子领域的电源系统

<电商销售信息>

起售时间:2023年4月开始

电商平台:Ameya360、Sekorm

新产品在其他电商平台也将逐步发售。

ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT!

<关于Ancora Semiconductors Inc.(碇基半导体)>

碇基半导体成立于2022年7月,是全球电源管理和变压器厂商——台湾台达电子(Delta Electronics, Inc.)的子公司,主要从事GaN元器件的开发。如欲了解关于碇基半导体的更多信息,请访问公司官网:

https://www.ancora-semi.com/zh-CN

ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT!

<术语解说>

*1) GaN HEMT

GaN(氮化镓)是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——Si(硅)相比,具有更优异的物理性能,目前,因其具有出色的高频特性,越来越多的应用开始采用这种材料。

HEMT是High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管)的英文首字母缩写。

*2) RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss

是用来评估器件性能的指标,其中Ciss是指从输入端看的总电容,Coss是指从输出端看的总电容。

该值越低,开关速度越快,开关时的损耗越小。

*3) ESD(Electro-Static Discharge:静电放电)

当人体和电子设备等带电物体相互接触时会产生静电。这种静电会导致电路和设备发生误动作甚至损坏。

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