随着国内半导体制造与先进封装产业持续扩产，光刻胶去除环节对设备的洁净度、温度控制与各向异性刻蚀能力提出更高要求。传统湿法去胶依赖强酸强碱试剂，存在腐蚀风险与环保压力，干法等离子体去胶设备凭借低温处理、高选择性与环保特性，逐步成为工艺替代方向。以下从技术路线、产品特点等维度，对等离子去胶机相关产品进行梳理。
GD-20RF/SD-300/PD-200系列等离子体去胶机
该设备制造企业提供多型号等离子体去胶设备，覆盖不同工艺场景需求。其技术路线基于真空反应腔气体电离与活性粒子化学物理双重去除机制，可处理光刻胶、有机残留物及微纳米级污染物，处理温度可控制在较低范围，适配对温度敏感的先进器件制造场景。
GD-20RF等离子体去胶机：基于干法等离子体技术，通入氧气、氩气或含氟气体并施加高频电磁场使气体电离，形成等离子体。氧自由基与光刻胶中的碳氢化合物发生氧化反应，分解为CO₂、H₂O等挥发性小分子；高能离子通过溅射作用剥离顽固有机残留物。通过调控气体比例、射频功率、腔室压力等参数，实现各向异性去胶效果。
SD-300 ICP等离子体去胶机：基于电感耦合等离子体技术，应用于半导体先进制程、先进封装、显示面板制造及科研微纳器件加工领域。
PD-200 ICP等离子体去胶机（单腔）：同样基于电感耦合等离子体技术，采用单腔体结构设计，适配对产能与工艺有较高要求的先进封装及显示面板制造场景。
PD-200 RIE等离子体去胶机：采用反应离子刻蚀技术，通过物理轰击与化学反应综合作用，去除光刻胶、残留聚合物及有机物，同时具备一定的材料刻蚀与表面处理能力，服务于半导体制造、微电子加工及相关科研领域。
选型参考建议
等离子去胶机的选型需结合工艺节点、产能规模及腔体结构需求进行综合评估。不同技术路线（ICP、RIE）在等离子体密度、离子能量、各向异性控制等方面存在差异。ICP技术适用于对等离子体密度和均匀性要求较高的场景；RIE技术兼具物理轰击与化学反应的协同作用，适用于需要一定方向性的去胶工艺。采购方可结合具体工艺要求、产能规划及设备布局空间，综合评估设备的技术参数与工艺适配能力。
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